2014年12月2日星期二

Silicon and gallium arsenide field-effect transistors with Schottky-barrier gate

Field-effect transistors with Schottky-barrier gates have been produced using epitaxial layers of n-type silicon on p-type substrates, and n-type gallium arsenide on semi-insulating substrates. Some simple design considerations are presented and the fabrication processes are discussed in detail. Comparisons are made between two different device geometries and between silicon and gallium arsenide devices.

Les transistors à effet de champ ayant des portes de barrière Schottky ont été produits en employant des couches épitaxiées de silicium de type n sur des couches de type p et de l'arséniure de gallium de type n sur des couches semi-isolantes. De simples considérations de construction sont présentées et les procédés de fabrication discutés en détail. Des comparaisons sont faites entre les dispositifs en silicium et en arséniure de gallium.



Feldeffekt-Transistoren mit Schottky-Steuerelektroden wurden unter Verwendung epitaxialer Schichten vonn-Silizium auf p-Substraten und von Galliumarsenid auf halbisolierenden Substraten hergestellt. Einige einfache Betrachtungen zum Aufbau der Transistoren werden angestellt. Der Herstellungsgang wird im einzelnen diskutiert. Vergleiche zwischen zwei verschiedenen geometrischen Ausführungsformen und zwischen den Silizium- und Galliumarsenid-Bauelementen werden angestellt.



SOURCE:SCIENCEDIRECT

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